Перспективы науки и образования

Главная » Information » Сапаев И.Б. — Электрофизические свойства инжекционного фотоприемника на основе n+ – n структуры

Сапаев И.Б. — Электрофизические свойства инжекционного фотоприемника на основе n+ – n структуры

Исследованы вольт-амперные характеристики n+CdS-nCdS-nSi структуры при различных температурах. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного и квадратичного роста тока с напряжением. Показано, что n+CdS–nCdS-nSi структуры в пропускном направлении тока при малых уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Такая структура при лазерном освещении с λ=0.625 μm и мощностью P=1.2 μW/cm2 имеет спектральную чувствительность 2042 A/W, напряжении смещения 10 V. При облучении белом светом энергией W=3,6·10-2 μW·s она имеет интегральную чувствительность ≈21 A/lm (2310 A/W) при напряжении смещения U=10V.

Ключевые слова: Гетеропереход, пленка, фоточувствительность

Сапаев Иброхим Байрамдурдыевич (Узбекистан, Ташкент)Докторант 3 года обучения. Физико-технический институт. E-mail: mohim@inbox.ru

pdf-icon

Реклама

Добавить комментарий

Заполните поля или щелкните по значку, чтобы оставить свой комментарий:

Логотип WordPress.com

Для комментария используется ваша учётная запись WordPress.com. Выход / Изменить )

Фотография Twitter

Для комментария используется ваша учётная запись Twitter. Выход / Изменить )

Фотография Facebook

Для комментария используется ваша учётная запись Facebook. Выход / Изменить )

Google+ photo

Для комментария используется ваша учётная запись Google+. Выход / Изменить )

Connecting to %s

%d такие блоггеры, как: